Силовые полупроводники:
Кристаллы IGBT
Помимо модулей и дискретных IGBT транзисторов, в программе поставок представлены бескорпусные кристаллы IGBT и быстрые антипараллельные диоды FRD, на базе которых потребитель может изготовить IGBT модули собственной разработки. Номенклатура IGBT чипов, изготовленных по модификациям TRENCHSTOP технологий, насчитывает более 120 типов. Диапазоны рабочих напряжений 600/1200/1700 В, рабочие токи от 10 А до 200 А, падение напряжения на включенном транзисторе в зависимости от технологии изготовления, рабочего напряжения и быстродействия составляет от 1,85 В (IGBT3) до 3,7 В (Fast IGBT2). Номенклатура диодов с быстрым восстановлением (FRD) насчитывает более 70 типов на напряжения 600/1200/1700 В и токи до 300 А. Все кристаллы поставляются в виде пластины, разделенной на транзисторные (диодные) структуры, закрепленные на подложке-носителе в специальной технологической упаковке.
Настройка таблицы Вы можете включать/отключать колонки таблицы
Настройка таблицы Вы можете включать/отключать колонки таблицы
|
|
|
Производитель |
|
|
Uкэ, В |
|
|
Iк макс, А |
|
|
U нас max, В |
|
|
|
Uзэ порог min, В |
|
|
Iк имп макс, А |
|
|
Технология |
|
|
Кристалл |
|
|
|
T раб , °C min |
|
|
T раб , °C max |
|
|
Кол-во кристаллов на пластине, шт |
|
|
Область применения |
| Включить все колонки Только основные колонки |
Сбросить все фильтры |
