Power Integrations

igbt-driver.power.com

Компания Power Integrations (ранее, до 2015года, CT-Concept) мировой технологический лидер в секторе драйверов для IGBT (MOSFET) модулей средней и большой мощности с рабочими напряжениями 1200-6500В. Компания предлагает самый широкий спектр этих компонентов, как универсальных ядер, так и готовых (plug-and-play) драйверов для большинства моделей ведущих мировых производителей силовых IGBT модулей: ABB, Infineon, Fuji, Ixys, Dynex, Hitachi, Mitsubishi и др. Power Integrations - это молодая, инновационная и динамичная компания, основанная выходцами из Infineon (Eupec) c огромным опытом и глубокими знаниями особенностей управления силовыми ключами.

Продукция Power Integrations

В основе всех драйверов Power Integrations лежит ядро, реализующее все базовые функции драйвера и максимально удешевленное за счет унификации и массового производства заказной микросхемы (ASIC). Ядро драйвера Power Integrations выполнено в виде модуля на печатной плате и выполняет основные функции драйвера: гальваническая изоляция, защитные функции и питание высоковольтной части с помощью встроенного DC/DC изолированного источника питания. Сердцем ядра драйверов Power Integrations является набор заказных микросхем, названный SCALE (от англ. "Scalable, Compact, All purpose, Low cost, Easy to use", что означает "масштабируемый, компактный, многоцелевой, дешевый, простой в использовании"). Набор включает в себя две заказные микросхемы: ИМС логического интерфейса драйвера (LDI) и ИМС интеллектуального драйвера затвора (IGD). В 2007 году компания объявила о выпуске второго поколения ядер, получившего название SCALE-2, и подробно описанного в данной статье.

  Модуль драйверного ядра монтируется на базовую печатную плату, содержащую дополнительные компоненты, необходимые для сопряжения с конкретными IGBT модулями. Компоненты эти могут быть разными для разных модулей.

В результате получается так называемый plug&play драйвер, который монтируется в свою очередь на IGBT модуль. Компоненты сопряжения - это резисторы затвора, схемы ограничения выбросов напряжения, схемы согласования интерфейсов, а также DC/DC источники питания, которые для IGBT модулей 4,5- 6,5 кВ используются внешние.

Драйверные ядра Power Integrations пригодны также для управления силовыми MOSFET транзисторами с частотой переключения до 500 кГц. Драйверные ядра выпускаются с напряжением изоляции 600 до 3300 В с числом каналов от 1 до 6