Новости

28.07.2017

Добавлена информация о воздушных охладителях MeccAl (Италия)

В разделе "Воздушное охлаждение" появилась информация о различных видах воздушных охдадителей итальянской фирмы MeccAl.
Рубрики:
MeccAl, Охлаждение
10.07.2017

В раздел "Библиотека" добавлена статья по новой технологии защиты цепей постоянного тока.

Добавлена статья, посвященная новым пироэлектрическим устройствам защиты в цепях постоянного тока на транспорте и в энергетике.
Рубрики:
Mersen, Защита
29.06.2017

Конденсаторные модули MoLIE - гибкая комбинация низкоиндуктивных пленочных конденсаторов с оптимизированной ламинированной силовой шиной для IGBT сборок

Малые и средние компании всегда  приветствуют возможность протестировать конфигурации новых разработок преобразователей без затрат на изготовление новой силовой  шины. Компания ELECTRONICON совместно с  IDEALEC предлагает  расширяемые «строительные» блоки для одно- и трехфазных устройств. Модули MoLIE помогают испытать и реализовать новые идеи быстрее, предлагая гибкость в разработке новых проектов.
Рубрики:
Electronicon, Конденсаторы, Пленочные конденсаторы
08.06.2017

Новая микросхема драйвера семейства SCALE-iDriver IC поддерживает IGBT модули с рабочим напряжением 1700В

Компания Power Integrations расширяет семейство SCALE-iDriverTM гальванически изолированных одноканальных драйверов. Новые драйверы  поддерживают IGBT модули с блокирующим  напряжением до 1700В, которые обычно требуются в приложениях  с напряжениями питающей сети переменного тока 400В  и 690В АС
Рубрики:
Power Integrations, Драйверы IGBT/MOSFET
16.05.2017

Новая технология корпусирования TRENCHSTOP™ Advanced Isolation для дискретных IGBT транзисторов

Компания Infineon Technologies представила новую технологию корпусирования TRENCHSTOPTM Advanced Isolation. Она доступна для IGBT транзисторов TRENCHSTOP и  TRENCHSTOP Highspeed 3 и обеспечивает лучшие в своем классе тепловые характеристик и удешевление производства.
Рубрики:
Infineon Technologies, Силовые полупроводники, Дискретные IGBT
15.05.2017

Поступления на склад ЭФО

Поступили на склад новые IGBT модули 7 поколения Mitsubishi CM450DX-24T#301G
Рубрики:
Mitsubishi Electric, Силовые полупроводники, IGBT модули
30.03.2017

Модификация ASIC ядра SCALE-2 для повышения устойчивости к электромагнитным помехам

Компания Power Integrations провела усовершенствование одной из специализированных микросхем, применяемых в составе фирменных ядер драйверов SCALE-2. Модернизация коснулась выходной ASIC чипсета, а именно IGD. Новая микросхема будет устанавливаться в ядрах SCALE-2 и SCALE-2+, а так же в драйверах SCALE-2 plug-and-play, начиная с 1 июля 2017г.
Рубрики:
Power Integrations, Драйверы IGBT/MOSFET
24.03.2017

IGBT модули на основе IGBT5 и технологии корпусирования .XT - расширение диапазона мощности PrimePACK™ с сохранением размеров корпуса

Успех серии IGBT модулей в корпусе PrimePACKTM,  выпущенных в 2006 году -доказательство того, что это оптимальный выбор для большинства мощных инверторов в таких областях как ветроэнергетика  , промышленные и транспортные системы, коммерческие / строительные  и сельскохозяйственные приводы и другие приложений. Теперь, PrimePACKTM  -  первое семейство с  IGBT кристаллами нового поколения IGBT5
Рубрики:
Infineon Technologies, Силовые полупроводники, IGBT модули
15.03.2017

Новая серия транзисторов RC-E со встроенным обратным диодом - эталон цены и качества

В индукционных плитах чаще всего используются резонансные схемы, которые обеспечивают двунаправленность потока мощности. Обычно в этих применения в качестве силового ключа используется  дискретный IGBT транзистор, работающий на частотах от 18 до 40кГц с низкими потерями. Компания Infineon Technologies представляет новую серию дискретных IGBT транзисторов, полностью отвечающих этим требованиям.
Рубрики:
Infineon Technologies, Силовые полупроводники, Дискретные IGBT
15.02.2017

Транзисторы OptiMOS™ 5 на 150В : рекордное снижение сопротивления во включенном состоянии RDS(on) и заряда обратного восстановления (Qrr)

Компания Infineon Technologies представляет новую серию MOSFET транзисторов OptiMOSTM 5 150 V, которая расширяет  линейку транзисторов OptiMOS 5-го поколения
Рубрики:
Infineon Technologies, Силовые полупроводники, Дискретные MOSFET
Комментариев [1]

Стр. 1 ... 4 – 5
 
Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  
Силовые полупроводники
Конденсаторы
Защита
Резисторы
Драйверы IGBT
Силовые шины
Охлаждение
Коммутационные устройства
Трансформаторы и дроссели
Химические источники тока



[Помощь по поиску]

Подписаться на новости:

Комментарии

Транзисторы OptiMOS™ 5 на 150В : рекордное снижение сопротивления во включенном состоянии RDS(on) и заряда обратного восстановления (Qrr)
Добрый день! Нас заинтересовали оценочные платы: EVAL_3KW_2LLC_C7_47, можно ли у вас купить данную оценочную плату?


Рубрикатор новостей

По группам компонентов

По производителям

Все новости
Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™		 Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы www.golledge.ru		 Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru
Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru Датчики и первичные преобразователи www.efo-sensor.ru Компоненты для промавтоматики www.efomation.ru
Продукция Lattice Semiconductor www.latticesemi.ru