Новости

Для современных импульсных источников питания и устройств, работающих на аккумуляторах, требуется большая эффективность и повышенная надежность. В поддержку этой тенденции Infineon Technologies представляет серию транзисторов OptiMOS^TM 6 100 V с новой MOSFET технологией. Новая технология оптимизирована для приложений с высокой скоростью переключения таких как источники питания для телеком и солнечной энергетики, где потери преобразования связаны как с зарядами переключения, так и с потерями проводимости во включенном состоянии ключа.

Области применения:

• телеком;
• солнечная энергетика;
• устройства, работающие от аккумуляторов;
• системы контроля питания.

Особенности:

•  лучшее в своем классе сопротивление во включенном состоянии R _DS(on);
•  широкая область безопасной работы (SOA);
•  лучшее в своем классе произведение заряд затвора на сопротивление во включенном состоянии (FOM);
•   упрощается проектирование системы охлаждения;
•   меньше параллельно включенных компонентов;
•   длительный срок службы;
•   улучшены значения FOMs (R _DS(on) x Q _g and Q _gd) более, чем на 30%, по сравнению с OptiMOS 5;
•   меньше потери проводимости и переключения.

Доступность

Транзисторы OptiMOS 6 100 V доступны для заказа в корпусах SuperSO8 5x6 и PQFN 3.3x3.3 с широким диапазоном сопротивлений R _DS(on)

Подробнее >>