Новости

Компания Infineon представила семейство CoolSiC^TM Hybrid IGBT в дискретном корпусе с блокирующим напряжением 650В. Транзисторы на основе кремния по технологии TRENCHSTOP^TM 5 IGBT на 650В скомбинированы с карбид-кремниевыми обратными диодами Шоттки. Благодаря повышенной частоте коммутаций и меньшим потерям коммутации, новые транзисторы отлично подходят для DC-DC конверторов и компенсации реактивной мощности (PFC).

Области применения:

• зарядные устройства;
• аккумуляторы;
• фотоэлектрические инверторы;
• источники бесперебойного питания (UPS);
• импульсные источники питания (SMPS).

Благодаря совмещению обратного SiC диода Шоттки в одном корпусе с кремниевым IGBT кристаллом, транзисторы серии CoolSiC Hybrid работают со значительно сокращенными потерями переключения при неизменных значениях dv/dt и di/dt. Уменьшено до 60% значение E _on и на 30% - E _off, по сравнению со стандартными кремниевыми обратными диодами. И наоборот, можно увеличить частоту переключений почти на 40% с неизменными требованиями по выходной мощности. Более высокая частота переключений позволит сократить размеры пассивных компонентов и сократит стоимость системы. IGBT транзисторы серии Hybrid могут заменить транзисторы TRENCHSTOP 5, обеспечивая больший КПД: 0,1% на каждые 10кГц частоты переключений без изменения схемы.

Семейство CoolSiC^TM Hybrid своеобразный мост между кремниевыми компонентами и высокопроизводительными SiC MOSFET транзисторами. Даже, в сравнении с полностью кремниевыми компонентами, Hybrid IGBT транзисторы позволяют улучшить электромагнитную совместимость и общую надёжность системы. Благодаря униполярной природе барьера Шоттки, диоды могут переключаться быстрее без паразитных осцилляций и рисков самопроизвольного включения. Выпускаются в двух корпусах: TO-247-3 и TO-247-4 с эмиттером Кельвина. Корпус с эмиттерным выводом Кельвина позволяет получить ультранизкую индуктивность в контуре управления затвор-эмиттер и сократить потери переключения.

Доступность

Дискретные транзисторы семейства CoolSiC Hybrid следуют за ранее представленной успешной серией гибридных модулей CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK^TM 1B и 2B с IGBT кристаллом и CoolSiC диодом Шоттки. Все транзисторы доступны для заказа.

В серию входят транзисторы с током 40, 50 и 75А на напряжение 650В:

• TRENCHSTOP 5 ультра-быстрые H5 IGBT кристаллы и CoolSiC диоды 6го поколения
• IGBT S5  кристаллы и CoolSiC диоды 6го поколения.

Подробнее>>