Новости
Трёхфазный драйвер IGBT/MOSFET на принципе сдвига уровня EiceDRIVER™ 1200 ВКомпания Infineon расширяет свою линейку драйверов на принципе сдвига уровня EiceDRIVERTM новым трёхфазным драйвером, основанным на уникальной технологии кремний-на-изоляторе (SOI). Особенности:
Эти характеристики позволяют сократить стоимость системы и обеспечивают большую надежность в компактном корпусе, который подходит для промышленных приводов и встроенных инверторов. Высоковольтный драйвер на сдвиге уровня 6ED2230 обеспечивает токи на выходе: вытекающий 350мА и втекающий 650мА. Предупреждает сквозное включение силовых ключей встроенной функцией «мертвого времени». Встроенный компаратор для защиты от токов перегрузки обеспечивает установку порогов срабатывания с точностью +/-5% и даёт быструю, и надёжную защиту ключей. Бустерные диоды обеспечивают ультрабыстрое обратное восстановление с очень низком сопротивлением 40 Ом.
Надёжность работы обеспечивает устойчивость к переходному отрицательному выбросу на выходе Vs до -100В с длительностью до 700нс. Для безопасности на нижней и верхней стороне установлена защита от понижения напряжений питания (Under Voltage LockOut - UVLO). Цоколевка корпуса DSO-24 разводит низкие и высокие напряжения на разные стороны корпуса, чтобы увеличить расстояния пробоя по поверхности и по воздуху (clearance and creepage).
Доступность Драйверы EiceDRIVER 6ED2230 доступны для заказа в корпусе DSO-24 300 mil (это стандартный размер для корпуса DSO-28). В этом корпусе уменьшено количество выводов, что обеспечивает норму 2кВ стойкости к статическому электричеству в соответствии с моделью человеческого тела (human-body model - HBM).
Подробнее>> Добавить свой комментарий
|