Новости

Компания Mitsubishi Electric представила новый силовой полупроводниковый модуль, полностью выполненный на карбиде кремния, с рабочим напряжением 6,5кВ с наивысшей плотностью мощности (рассчитанной по соответствующим напряжению и току) среди силовых модулей с напряжением от 1,7кВ до 6,5кВ.

Высокая плотность мощности достигается за счет того, что в одном SiC кристалле объединены силовой MOSFET ключ и обратный диод, а также использован новый конструктив. MOSFET модуль с высоким КПД в самом компактном корпусе предназначен для использования в высоковольтных преобразователях для ж/д транспорта и промышленных инверторах.

Особенности

• 6,5кВ - самое высокое напряжение свойственное традиционным кремниевым IGBT модулям;
• технология Full-SiC увеличивает плотность мощности КПД, а также обеспечивает работу на более высоких частотах;
• Уменьшенная площадь полупроводника благодаря объединению в одном кристалле силового MOSFET ключа и обратного диода;
• изолирующая подложка с наивысшими тепловыми характеристиками, и надежная технология присоединения кристалла способствует рассеиванию тепла и увеличивает температурный диапазон работы;
• плотность мощности 9.3 кВА/см³ - самое высокое в мире значение среди силовых модулей с рабочим напряжением 1.7 кВ ... 6.5 кВ.

Сравнение Full-SiC модуля и традиционного кремниевого IGBT модуля

* соответствует 9,3 кВА/см³

** соответствует 5,1 кВА/см³

Примечание:

 данные унифицированы для соответствующих значений традиционных IGBT модулей компании Mitsubishi Electric

Сохранить