Новости
Новые транзисторы OptiMOS™ Linear FET сочетают низкое сопротивление во включенном состоянии R DS(on) и расширенную область безопасной работы
Компания Infineon Technologies выпустила новую серию транзисторов OptiMOSTM Linear FET. Новое семейство сочетает в себе лучшее в своем классе сопротивление во включенном состоянии (R DS(on)) как у trench MOSFET и расширенную область безопасной работы свойственную планарному MOSFET. Новые транзисторы представляют собой компромисс между низким R DS(on) и пригодностью MOSFET транзистора работать в линейном режиме. OptiMOSTM Linear FET могут работать в области насыщения MOSFET с режимом обогащения канала. Это отличное решение для устройств «горячей замены», электронных предохранителей и защитных приложений, обычно используемых в телекоммуникациях и системах управления аккумуляторами (battery management systems (BMS). Кроме того, устойчивый линейный режим работы и более высокий импульсный ток позволяют сократить коммутационные потери, ускорить начало работы и сократить время отключения оборудования. Транзисторы OptiMOS Linear FET предотвращают отказы при коротком замыкании в нагрузке, за счёт ограничения пусковых токов.
Сравнение области безопасной работы:
Сопротивление во включенном состоянии меньше на 58%, по сравнению с ближайшей альтернативой:
Ассортимент транзисторов семейства OptiMOSTM Linear FET с рабочим напряжением 100, 150 и 200В
* выпуск запланирован на Август, 2017
Доступность Транзисторы OptiMOS Linear FET доступны для заказа в трех классах напряжения: 100, 150 и 200В. Изготавливаются в корпусах D²PAK or D²PAK 7pin. Стандартный корпус позволяет легко заменить компоненты в существующий системах.
Подробнее www.infineon.com/optimos-linearfet.
Добавить свой комментарий |