Новости

01.04.2015

Новые быстродействующие IGBT транзисторы с рабочим напряжением 650В для автомобильных электрических и гибридных приводов

TO-247 650V AUTO

Компания Infineon Technologies AG выпустила новое семейство надежных IGBT транзисторов  с рабочим напряжением 650В, которые позволяют достичь максимальной эффективности в автомобильных приложениях с быстрыми коммутациями. Транзисторы квалифицированны по автомобильному стандарту AEC-Q.

Новые транзисторы обладают на 50В более высоким блокирующим напряжением по сравнению с предыдущими версиями автомобильных IGBT транзисторов и обеспечивают лучший в своем классе КПД за счет использования технологии TRENCHSTOP 5 на тонкой пластине кремния (thin wafer). Это позволяет снизить напряжение насыщения (V CE(sat)) на величину до 200мВ, в 2 раза уменьшить потери коммутаций и снизить в 2.5 раза заряд затвора. Сокращение потерь при коммутациях и потерь проводимости приводит к  более низкой температуре корпуса и p-n-перехода, чем  в альтернативных технологиях, что позволяет повысить надежность системы и снизить требования к  охлаждению.

 

Применение

  • бортовые системы заряда аккумуляторов
  • коррекция коэффициента мощности
  • DC/DC и DC/AC преобразование

 

Особенности

  • при использовании в электрических приводах позволяют увеличить запас хода автомобиля (cruising range) или уменьшить размер аккумулятора;
  • в гибридных приводах позволяют сократить расход топлива и снизить выбросы CO2;
  • позволяет использовать IGBT транзисторы в приложениях, где доминируют MOSFET транзисторы;
  • 2 варианта исполнения: со встроенным обратным диодом и без диода;
  • 2 варианта поколения кристалла: H5 HighSpeed и F5 HighSpeed FAST;
  • КПД увеличен с 97.5% до 97.9% по сравнению с предыдущими версиями (например, в зарядном устройстве 3.3кВт, это сокращает потери мощности на 13Вт).

 

Доступность

Доступны для заказа инженерные образцы. Массовое производство начнется в марте 2015.

Подробнее www.infineon.com/discrete-automotive-igbt.

 

IGBT транзисторы TRENCHSTOP 5 AUTO

 

Частота коммутаций, кГц

Корпус

Uкэ, В

Iк, А(100⁰С)

Iкимп, А

IKW50N65F5A 

15-120

TO-247

650

53.5

150

IKW40N65H5A 

15-120

TO-247

650

46

120

IKW40N65F5A 

15-120

TO-247

650

46

120

IKW50N65H5A 

15-120

TO-247

650

53.5

150

IGW40N65F5A 

15-120

TO-247

650

46

120

IGW50N65H5A 

15-120

TO-247

650

53.5

150

IGW50N65F5A 

15-120

TO-247

650

53.5

150

IGW40N65H5A 

15-120

TO-247

650

46

120



Добавить свой комментарий

E-mail не публикуется и не передается третьим лицам
Введите цифры изображенные на картинке



 
Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  



[Помощь по поиску]

Подписаться на новости:

Комментарии

Транзисторы OptiMOS™ 5 на 150В : рекордное снижение сопротивления во включенном состоянии RDS(on) и заряда обратного восстановления (Qrr)
Добрый день! Нас заинтересовали оценочные платы: EVAL_3KW_2LLC_C7_47, можно ли у вас купить данную оценочную плату?
1SP0350V - новый Plug-and-Play драйвер для управления широким спектром IGBT модулей

Зураб, на Ваш Email отправлена информация как получить образцы.



Рубрикатор новостей

По группам компонентов

По производителям

Все новости

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы Golledge
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru