Новости

Компания Infineon Technologies представляет новейшее семейство дискретных P-канальных силовых MOSFET транзисторов для автомобильных применений. Транзисторы выполнены по улучшенной trench-технологии.

В новое семейство входят P-канальные MOSFET транзисторы с самым низким в автомобильной промышленности сопротивлением во включенном состоянии R_DS(on) с рабочими токами от 50 до 180А в различных корпусах. 180А - наилучшее значение рабочего тока для P-канальной  технологии. При использовании в качестве ключей верхнего уровня в мостовых схемах автомобилей, транзисторы OptiMOS P2 с рабочим напряжением 40В не требуют дополнительных генераторов подкачки, что позволяет уменьшить общую стоимость системы и снизить электромагнитные наводки. При управлении с помощью широтно-импульсной модуляции, новые транзисторы показывают лучшие тепловые характеристики и лучшее поведение при лавинном пробое, чем N-канальные MOSFET.

Идеальны для:

• Защиты аккумулятора от неправильного подключения
• Электроусилителей руля
• Трехфазных и мостовых схем управления двигателем (например, в «дворниках», ручном тормозе, в системе кондиционирования, в электронасосах).

Основные преимущества:

• Второе поколение технологии trench
• Низкий заряд затвора
• Малая собственная емкость
• Низкие потери при переключении
• Высокие рабочие токи
• Наилучший показатель FoM (произведение максимального значения RDS(on) на величину заряда затвора Qg)
• Низкое сопротивление во включенном состоянии (2,4мОм при 10В в корпусе D²PAK)
• Полностью отвечают требованиям стандарта Automotive Electronics Council (AEC-Q101)

Доступность

Семейство транзисторов OptiMOS P2 с напряжение 40В, с рабочими токами 50 - 180А в 34 вариантах запущено в производство. Образцы доступны во всех типах корпусов: TO-220, DPAK, D²PAK и TO-262, а так же в корпусе D²PAK с семью выводами.

Дополнительная информация

Более подробно о новом семействе можно узнать на сайте Infineon Technologies

www.infineon.com/automotivemosfet