Новости

Компания Infineon Technologies расширяет линейку IGBT модулей на напряжение 3,3кВ новыми модулями на  основе технологии TRENCHSTOP^TM IGBT3. Новый модуль с рабочим током 1200А, так же как диодный и чопперный модули легко реализуются на кристаллах  IGBT3. Вся линейка представлена в конструктиве IHM B включая исполнения с AlSiC базовым основанием. На сегодня  компания Infineon выпускает лучший в своем классе модуль с рабочим током 1500А.

Доступны 2 версии IGBT3: IGBT3 Standard и IGBT3 Low Loss. Версия Standard оптимизирована для работы в стандартных условиях применения. У модулей версии Low Loss низкие потери и плавная характеристика переключения. Они способны работать в электрических  цепях с паразитной индуктивностью до 300нГн.

Наиболее важное преимущество от использования новой технологии - на 25% более высокая плотность мощности с более низким напряжением насыщения 3,15В при номинальном токе и максимальной рабочей температуре 150°C.

Эти характеристики дополняются повышенной  устойчивостью к термоциклам и циклическим нагрузкам при использовании силовых модулей Infineon на напряжение 3,3кВ с AlSiC базовым основанием. Эти модули идеально подходят для приложений с рабочими температурами до -50°C и температурами хранения до -55°C.

Применение:

• Транспорт (метрополитен, высокоскоростные поезда и локомотивы)
• HVDC и FACTS
• Приводы среднего напряжения
• Многоуровневые инверторы