Новости

Современные автомобильные приложения требуют новых уровней мощности, экологической безопасности и к.п.д. двигателя. В то же время экологические нормативы ограничивают электромагнитные потери, особенно при электронном управлении системами автомобиля с использованием широтно-импульсной модуляции.

Для решения этих задач и предназначено новое поколение автомобильных MOSFET транзисторов, высококачественных, надежных, с высокой теплоотдачей. Новое семейство транзисторов OptiMOS™-T2 на 40В изготавливаются в бессвинцовых, прочных корпусах, с лучшим в своем классе сопротивлением во включенном состоянии RDS(on) и самым большим диапазоном токов для автомобильных двигателей и систем.

Основные характеристики OptiMOS™ - T2 40В

• Самое низкое сопротивление во включенном состоянии (RDS(on)) при 40В (0,98 мОм при 10В управляющего напряжения на затворе)
• Самая высокая допустимая нагрузка по току
• Самые низкие потери при переключении и статические потери при отличной теплоотдаче
• Высококачественные, надежные и прочные корпуса
• Соответствуют требованиям AEC (Automotive Electronics Council), как компоненты для автомобильного применения
• Максимальная рабочая температура + 175°C
• Максимальный ток стока I(d) до 180А (100А) в корпусе D2-PAK (DPAK)
• Оптимизированный полный заряд затвора для минимальной требуемой мощности драйвера

Подробнее