Компания Infineon анонсировала силовые MOSFET транзисторы на 30В с самым низким в мире сопротивлением во включенном состоянии для автомобильных применений. Новый OptiMOS™-T2 на 30В - N-канальный транзистор с током стока 180А имеет R DS(on) 0,9мОм при напряжении затвор-исток 10В. Транзистор IPB180N03S4L-H0 в корпусе D2PAK-7 рассчитан на потребителя, которому необходимы силовые MOSFET транзисторы в стандартном корпусе, обладающими как высокими номинальными токами, так и низким сопротивлением во включенном состоянии по доступной цене.
Новый транзистор изготовлен по trench технологии компании Infineon для силовых MOSFET транзисторов OptiMOS-T2 - идеален для применения в автомобильных сильноточных приводах, электроусилителях руля (EPS) и особенно для старт/стоп режима.
По сравнению с предыдущими, trench-технология второго поколения силовых MOSFET транзисторов, OptiMOS-T2, позволяет уменьшить как сопротивление RDS(on), так и заряд затвора. В результате стало возможным получить минимальный коэффициент качества (Figure of Merit, FoM), который является произведением значений сопротивления RDS(on) и заряда затвора. Помимо этого, при сборке транзисторов в корпус применена улучшенная технология проволочных соединений для больших токов 'Powerbond', направленная на уменьшение 'вклада', вносимого сопротивлением проволочного соединения в RDS(on) MOSFET транзистора и увеличение допустимой нагрузки по току. Это также позволяет повысить надежность за счет того, что проводники меньше нагреваются. Современная технология Powerbond позволяет разместить до 4 пар проводников толщиной 500чм в одном MOSFET транзисторе, таким образом, можно использовать стандартный корпус при номинальном токе 180А
Технология OptiMOS-T2 и корпус рассчитаны на то, чтобы выдерживать температуру 260°C во время пайки оплавлением для уровня MSL1 (Moisture Level 1), при этом покрытие не содержит свинца, что соответствует RoHS. Силовой MOSFET транзистор IPB180N03S4L-H0 полностью отвечает требованиям Automotive Electronics Council (AEC-Q101).
IPB180N03S4L-H0 предназначен для применений с высокими токами (более 500А), где требуется использование большого количества параллельно соединенных MOSFET транзисторов. Так как IPB180N03S4L-H0 рассчитан на работу с номинальным током 180А, это позволяет в ряде приложений исключить параллельное соединение транзисторов.
Доступность
Транзистор IPB180N03S4L-H0 на 30В с током стока 180А и сопротивлением RDS(on) 0,9мОм запущен в массовое производство. Также компания Infineon предлагает модификацию на 30В и током стока 180А (IPB180N03S4L-01) с сопротивлением RDS(on) 1,05мОм при напряжении затвор-исток 10В для критичных по цене приложений. Оба транзистора доступны в стандартном корпусе D 2PAK-7
Подробнее
